该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM2快速恢复二极管系列的一部分。它提供了非常低的恢复电荷(Qrr)和时间(trr)以及低RDS(开启),使其适用于要求最高的高效转换器,并非常适合桥式拓扑和ZVS移相转换器。
特色
- 快速恢复体二极管
- 极低栅极电荷和输入电容
- 低通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/d耐用性
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 18.83154 | 18.83154 |
10+ | 16.89768 | 168.97686 |
100+ | 13.58116 | 1358.11620 |
500+ | 11.15826 | 5579.13350 |
1000+ | 10.14382 | 10143.82600 |
3000+ | 10.14389 | 30431.69700 |
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该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM2快速恢复二极管系列的一部分。它提供了非常低的恢复电荷(Qrr)和时间(trr)以及低RDS(开启),使其适用于要求最高的高效转换器,并非常适合桥式拓扑和ZVS移相转换器。
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