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PSMN034-100BS，118是MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于D2PAK，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作86W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供的输入电容为1201pF@50V Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为32A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为34.5 mOhm@15A、10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为23.8nC@10V。
PSMN030-150P，127是NXP制造的MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB。PSMN030-150P，127可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB、N沟道150V 55.5 A（Tc）250W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH Si 150V 55.5A3-Pin（3+Tab）TO-220AA Rail、MOSFET Rail PWR-MOS。
PSMN030-60YS，带有NXP制造的电路图。PSMN030-60YS以SOT-669封装形式提供，是FET的一部分-单个。
PSMN034-100PS是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 100V TO220AB。PSMN034-100PS在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V TO220AB。
