9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR846ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR846ADP-T1-GE3参考价格为2.37000美元。Vishay Siliconix SIR846ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR846ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR844DP-T1-GE3是MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm@10V，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR844DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为5W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为18 ns，上升时间为21 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
SiR840DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SiR840DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIR840DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8。SIR840DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8、N沟道30V表面安装PowerPAK？所以-8。
