9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBF20SPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBF20SPBF价格参考2.20000美元。Vishay Siliconix IRFBF20SPBF封装/规格:MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK。您可以下载IRFBF20SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如IRFBF20SPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IRFBF20LPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262,包括管封装,其设计为单位重量为0.084199盎司,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供封装盒功能,如I2PAK-3,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供3.1 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为32 ns,上升时间为21 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为1.7 A,Vds漏极-源极击穿电压为900V,Rds漏极漏极-漏极电阻为8欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为56ns,典型接通延迟时间为8ns,沟道模式为增强。
IRFBF20L是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262。IRFBF20 L可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH900V 1.7A-TO-262、N沟道900V 1.7V(Tc)3.1W(Ta)、54W(Tc)通孔I2PAK。
IRFBF20S,带有由IR制造的电路图。IRFBF20S采用TO-263封装,是IC芯片的一部分,N沟道900V 1.7A(Tc)3.1W(Ta),54W(Tc)表面安装D2PAK,Trans-MOSFET N-CH 900V 1.76A 3引脚(2+Tab)D2PAK。