9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR882ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR882ADP-T1-GE3参考价格为2.63000美元。Vishay Siliconix SIR882ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR882ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR880DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR880DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为双通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为2 N通道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为2440pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为5.9mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为74nC@10V，Pd功耗为104W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs第h栅极-源极端电压为2.8 V，Rds漏极源极电阻为5.9 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为49 nC，并且正向跨导Min为64S。
SIR878DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8，包括2.8V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如100 V，单位重量设计用于0.017870盎司，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR SO-8供应商器件包中提供，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为14mOhm@15A，10V，Rds On漏极-源极电阻为14m欧姆，Qg栅极电荷为28.3nC，功率最大值为44.5W，Pd功耗为44.5WW，零件别名为SIR878DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1250pF@50V，Id连续漏极电流为40A，栅极电荷Qg Vgs为43nC@10V，正向跨导最小值为34S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），配置为单一。
SIR880ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8，包括增强型通道模式，它们设计用于双配置，连续漏电流如数据表注释所示，用于60A，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计用于2通道，以及SO-8封装盒，该装置也可以用作卷筒包装。此外，部件别名为SIR880ADP-GE3，该器件提供83 W Pd功耗，该器件具有24 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为6.3 mOhms，系列为SIRxxxADP，技术为Si，商品名为ThunderFET TrenchFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2 N沟道、单位重量为0.017870盎司，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V。
SIR878DP-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR878DP-T1在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
