9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFRC20PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFRC20PBF价格参考1.35万美元。Vishay Siliconix IRFRC20PBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK。您可以下载IRFRC20PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如IRFRC20PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFR9N20DTRPBF是MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供86 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.3 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为9.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为18nC，沟道模式为增强。
IRFRC20是MOSFET N-CH 600V 2A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为23 ns，器件的漏极-源极电阻为4.4欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为25ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFR9N20N，带有IDT制造的电路图。IRFR9N20N采用SOT封装，是IC芯片的一部分。
