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AOB12N65L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.21009 15.21009
10+ 13.68183 136.81838
100+ 10.99689 1099.68950
800+ 9.03479 7227.83440
1600+ 7.48597 11977.55520
  • 库存: 0
  • 单价: ¥15.21009
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.21
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-263(D2Pak)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 48 nC @ 10 V
  • 最大功耗 278W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2150 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 720毫欧姆 @ 6A, 10V
  • 材质 -

AOB12N65L 产品详情

AOTF12N65->标记:TF12N65

AOT12N65和AOTF12N65采用先进的高压MOSFET工艺制造,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。
 

http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf

AOB12N65L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AOB12N65L 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AOB12N65L价格参考¥15.210090,你可以下载 AOB12N65L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AOB12N65L规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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