久芯网

STF6N95K5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.13280 7.13280
  • 库存: 61
  • 单价: ¥7.13281
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.13
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 最大功耗 25W(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 950伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.25欧姆@3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 450 pF @ 100 V
  • 材质 -

STF6N95K5 产品详情

这种非常高电压的N沟道功率MOSFET采用MDmesh K5技术设计,基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低

特色

  • 行业最慢的RDS(on)*领域
  • 行业最佳绩效指标(FoM)
  • 超低门电荷
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护

STF6N95K5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STF6N95K5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STF6N95K5价格参考¥7.132808,你可以下载 STF6N95K5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STF6N95K5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部