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FDB13AN06A0

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.9A(Ta)、62A(Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.58624 16.58624
10+ 14.87691 148.76917
100+ 11.95875 1195.87520
800+ 9.82535 7860.28480
1600+ 8.93216 14291.45920
  • 库存: 0
  • 单价: ¥16.58624
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.59
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 最大功耗 115W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350 pF@25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10.9A(Ta)、62A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 13.5毫欧姆@62A,10V
  • 材质 -

FDB13AN06A0 产品详情

N沟道PowerTrench®MOSFET,60V,62A,13.5mΩ,最新的屏蔽栅PowerTrench™MOSFET,结合了较小的QSYNC和软反向恢复本征体二极管性能以及快速开关,可大幅提高同步整流效率。

特色

  • RDS(ON)=11.5mΩ(典型值)@VGS=10V,ID=62A
  • QG(tot)=22nC(典型值)@VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低QRR体二极管
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101标准,以前为开发型82555

应用

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
FDB13AN06A0所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB13AN06A0 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB13AN06A0价格参考¥16.586241,你可以下载 FDB13AN06A0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB13AN06A0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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