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IPL60R185CFD7AUMA1
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IPL60R185CFD7AUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.00946 15.00946
  • 库存: 2
  • 单价: ¥15.00946
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.01
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 最大功耗 85W (Tc)
  • 包装/外壳 4-PowerTSFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 185毫欧姆@6A，10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Tc）
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 300A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1199 pF@400 V
  • 供应商设备包装 PG-VSON-4
  • 材质 -

IPL60R185CFD7AUMA1 产品详情

600V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新的高压超结MOSFET技术，集成了快体二极管，完成了CoolMOS™ 7系列。正向电阻™ CFD7具有降低的栅极电荷（Qg）、改进的关断行为和比竞争对手低高达69%的反向恢复电荷（Qrr），以及市场上最低的反向恢复时间（trr）。

特色

  • 超快体二极管
  • 同类最佳反向恢复充电（Qrr）
  • 改进的反向二极管dv/dt和dif/dt耐用性
  • 最低FOM RDS（on）x Qg和Eoss
  • 同类最佳RDS（on）/套餐组合
  • 一流的硬换向耐用性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率和卓越的易用性/性能权衡
  • 实现更高的功率密度解决方案

应用

潜在应用

服务器、电信、电动汽车充电、SMPS、PC电源

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IPL60R285P7AUMA1IPL60R285P7AUMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）¥11.18304
IPLK80R750P7IPLK80R750P7英飞凌 (Infineon)暂无¥14.22979
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IPL60R185CFD7AUMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPL60R185CFD7AUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPL60R185CFD7AUMA1价格参考￥15.009462，你可以下载 IPL60R185CFD7AUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPL60R185CFD7AUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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