9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFU220PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFU220PBF价格参考1.60000美元。Vishay Siliconix IRFU220PBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA。您可以下载IRFU220PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFU220NPBF是MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供43 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为6.4ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为2.6S，沟道模式为增强。
IRFU220BTU_AM002带有用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作800m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2.5 W，该器件采用管式封装，该器件具有IPAK-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.6 a，配置为单级。
IRFU220N是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK。IRFU220N可提供TO-251-3长引线、IPak、TO-251AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 5A I-PAK、N沟道200V 5A（Tc）43W（Tc）通孔IPak（TO-251）、Trans MOSFET N-CH200V 5A 3-Pin（3+Tab）IPak管。
