增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 30A，50V
- RDS（开）=0.040Ω
- SOA功耗有限
- 纳秒开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载波设备
- 相关文献-TB334“将表面安装组件焊接到PC板的指南”
应用
- 待定
BUZ11-NR4941
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.93700 | 5.93700 |
- 库存: 10
- 单价: ¥5.93701
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.94
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 75W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 15A, 10V
- 色彩/颜色 银
BUZ11-NR4941 产品详情
增强型N沟道MOSFET，Fairchild半导体
BUZ11-NR4941 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | BUZ76A | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.05602 | |
 | BUZ32H3045A | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.05602 |
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| BUZ31H3045A | 英飞凌 (Infineon) | ¥7.37182 |
BUZ11-NR4941所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BUZ11-NR4941 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BUZ11-NR4941价格参考￥5.937005，你可以下载 BUZ11-NR4941中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BUZ11-NR4941规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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