9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6011KND3TL1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6011KND3TL1参考价格2.77000美元。Rohm Semiconductor R6011KND3TL1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 11A TO252。您可以下载R6011KND3TL1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6015FNX是MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A，包括R6015FNX系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供15 A Id连续漏极电流，器件具有600 V Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为350 mOhm，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的R6015FNJTL，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了R6015FNJ等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1信道数的信道。
R6018ANJTL是MOSFET NCH MOSFET T/R 10V DRIVE，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用卷轴封装，系列如数据表注释所示，用于R6018ANJ，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
R6015ENZC8具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于R6015ENZ系列，包装如数据表注释所示，用于散装。
