9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP12N50M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP12N50M2价格参考1.63000美元。STMicroelectronics STP12N50M2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 10A TO220。您可以下载STP12N50M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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stp12n120k5是MOSFET N-CH 1200V 12A TO220，包括MDmesh？K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220供应商器件包中提供，该器件具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为250W，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Ciss Vds为1370pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为690 mOhm@6A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为44.2nC@10V。
STP12IE90F4是TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4，包括900V额定电压，它们设计为与NPN发射极开关双极晶体管类型一起工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于TO-220FP，提供ESBTR等系列功能，包装设计为在管内工作，以及TO-220-4全包装包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，额定电流为12A，该器件在栅极驱动器应用中提供。
STP120NH03L是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 60A TO-220。STP120NH03L以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 60A-TO-220、N沟道30V-60A（Tc）110W（Tc）通孔TO-220AB。
STP12IE95F4是由ST制造的BOARD EVAL STP12EE95F4。STP12EI95F4可在TO220F-4封装中获得，是评估板-DC/DC和AC/DC（离线）SMPS的一部分，并支持BOARD EVAL STP12E95F4。
