9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFS9N60ATRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS9N60ATRLPBF价格参考3.79000美元。Vishay Siliconix IRFS9N60ATRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK。您可以下载IRFS9N60ATRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFS9N60ATRLPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFS9N60APBF是MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK，包括管交替封装封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为170W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为1400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.2A（Tc），最大Id Vgs的Rds为750 mOhm@5.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为49nC@10V，Pd功耗为170 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为9.2A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为750mOhms，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为30ns，典型的导通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
带有FSC制造的用户指南的IRFS840BT。IRFS840BT提供TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
IRFS9620带有SEC制造的电路图。IRFS962采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRFS9N60A是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK。IRFS9N80A可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 9.2A D2PAK，N通道600V 9.2A（Tc）170W（Tc，表面安装D2PAK）。
