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BSC035N10NS5ATMA1是MOSFET 100V功率晶体管OptiMOS 5,包括卷轴封装,它们设计用于与BSC035N15NS5 SP001229628零件别名一起工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.017870盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于TDSON-8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件提供156 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为15 ns,上升时间为13 ns,Vgs栅源电压为+/-20 V,Id连续漏电流为100 A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V,Rds导通漏极-漏极电阻为4.7mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为47ns,典型接通延迟时间为22ns,Qg栅极电荷为70nC,正向跨导最小值为65S,沟道模式为增强。
BSC036NE7NS3 G是MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了在Si中使用的技术,该Si提供了BSC036NE7等系列功能,部件别名设计用于BSC06NE7NS3GATMA1 BSC036NE6NS3GXT SP000907920以及卷筒包装,该设备也可以用作TDSON-8封装盒。此外,信道数为1信道,该设备以SMD/SMT安装方式提供。
BSC036NE7NS,带有Infineon制造的电路图。BSC036NE7NS在TDSON-8封装中提供,是FET的一部分-单个。