9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y1R7-40HX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y1R7-40HX价格参考2.78000美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y1R7-40HX封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56。您可以下载BUK7Y1R7-40HX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如BUK7Y1R7-40HX价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BUK7Y153-100EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y53-100E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供37.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.5 ns，上升时间为4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为104mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.8ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为9.4nC，沟道模式为增强。
BUK7Y15-60EX是MOSFET N沟道60 V 15 mo FET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为17.8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为9.6mOhm，Qg栅极电荷为25.41nC，Pd功耗为94W，零件别名为BUK7Y15-60E115，封装为卷轴，封装盒为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为53 A，下降时间为10.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BUK7Y15-100EX，带有电路图，包括单组态，它们设计为在24 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于68 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为LFPAK-4，器件采用卷筒封装，器件具有195 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为54.5 nC，Rds漏极-源极电阻为10 mOhms，上升时间为21 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。典型关断延迟时间为43 ns，典型的导通延迟时间为11ns，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V。
BUK7Y19-100EX带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
