9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF634STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF634STRRPBF参考价格为2.27000美元。Vishay Siliconix IRF634STRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK。您可以下载IRF634STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF634SPBF是MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极源极导通电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为9.6ns，沟道模式为增强。
IRF634S是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK。IRF634S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH250V 8.1B D2PAK、N沟道250V 8.1C（Ta）3.1W（Ta）、74W（Tc）表面安装D2PAK。
IRF634STRR是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK。IRF634STRR可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH250V 8.1B D2PAK、N沟道250V 8.1V（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc，表面安装D2PAK）。
