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PSMN4R2-30MLDX是MOSFET 30V N沟道2.4mOhm，包括卷盘封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于LFPAK-4，提供Si等技术特性，沟道数设计用于1沟道，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作65W Pd功率耗散。此外，下降时间为8.7ns，器件的上升时间为18.5ns，器件具有2.2V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅-源极阈值电压为2.2V，漏极-漏极电阻为5.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为10.1ns，Qg栅极电荷为29.3nC，信道模式为增强。
PSMN4R2-60PLQ是MOSFET N沟道MOSFET，包括2.45 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如47纳秒，典型的关闭延迟时间设计为84纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以97纳秒上升时间提供，器件具有8.6毫欧姆的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为151 nC，Pd功耗为263 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为130 a，下降时间为72ns。
PSMN4R3-100PS，127是MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB，包括120A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计用于170nC@10V，除了9900pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件也可以用作通孔安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用TO-220-3封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为338W，最大Id Vgs的Rds为4.3mOhm@25A，10V，供应商器件封装为TO-220AB，Vgs th Max Id为4V@1mA。
PSMN4R3-30BL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。是FET的一部分-单个。
