9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD120PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD120PBF参考价格为1.45000美元。Vishay Siliconix IRFD120PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP。您可以下载IRFD120PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD120是MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，数据表说明中显示了用于HVMDIP-4的封装盒，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为270 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6.8ns，沟道模式为增强。
IRFD113PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP。IRFD113PB可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 800MA4-DIP、N沟道60V 800MA（Tc）1W（Tc）通孔4-HVMDIP、Trans MOSFET N-CH20V 0.8A 4-引脚HVMDIP。
IRFD120PBE，电路图由VHISAY制造。IRFD120PBE采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
