9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9630SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9630SPBF价格参考3.05000美元。Vishay Siliconix IRF9630SPBF封装/规格：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK。您可以下载IRF9630SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF9630是MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供74 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为6.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds漏极源极导通电阻为800 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28 ns，典型接通延迟时间为12 ns，沟道模式为增强。
IRF9630PBF是MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为28 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极电阻为800 mOhms，Pd功耗为74 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.5A，下降时间为24ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9630G带有由IR制造的电路图。IRF9630G有TO-220（封装，是IC芯片的一部分。
IRF9630S是由IR制造的MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK。IRF9630S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH200V 6.5B D2PAK、P沟道200V 6.5V（Tc）3W（Ta）、74W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET P-CH200V 6.5A 3-Pin（2+Tab）SMD-220。
