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FCD2250N80Z

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.10964 13.10964
10+ 11.69728 116.97284
100+ 9.11808 911.80870
500+ 7.53247 3766.23550
1000+ 6.30711 6307.11700
2500+ 6.30711 15767.79250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥13.10965
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.11
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 最大功耗 39W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 260A
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.25欧姆@1.3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 585 pF @ 100 V
  • 材质 -

FCD2250N80Z 产品详情

SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗,提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。

特色

  • RDS(开)=1.8Ω(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型Qg=11 nC)
  • 低Eoss(400V时典型值为1.1 uJ)
  • 低有效输出电容(典型cos(eff.)=51 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS
  • ESD改进功能

应用

  • AC-DC电源
  • LED照明
  • 工业电源应用
  • 通用开关电源应用
  • 音频适配器
  • 笔记本电脑适配器
  • 自动变速箱
FCD2250N80Z所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCD2250N80Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCD2250N80Z价格参考¥13.109649,你可以下载 FCD2250N80Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCD2250N80Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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