9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFI644GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI644GPBF价格参考3.09000美元。Vishay Siliconix IRFI644GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3。您可以下载IRFI644GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFI640GPBF是MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IRFI644带有由IR制造的用户指南。IRFI644是TO-220F封装的一部分，是FET的一部分。
IRFI644G是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP。IRFI644可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH250V 7.9A-TO220FP、N沟道250V-7.9A（Tc）40W（Tc）通孔TO-220-33、Trans-MOSFET N-CH 250 V 7.9A 3引脚（3+Tab）TO-220FP。
