9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR9120PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9120PBF价格参考1.47000美元。Vishay Siliconix IRFR9120PBF封装/规格：MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK。您可以下载IRFR9120PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR9120NTRPBF是MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供39 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-6.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds导通漏极-漏极电阻为480mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为18nC，沟道模式为增强型。
IRFR9120NTRLPBF是MOSFET MOSFT PCh-6.5A 480mOhm 18nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作480mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为18nC，该器件提供39W Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-6.5A。
IRFR9120NTRRBF，带有由IR制造的电路图。IRFR9120 NTRRBF采用D-PAK封装，是IC芯片的一部分。
