9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMTH10H010SPS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMTH10H010SPS-13价格参考1.39000美元。Diodes Incorporated DMTH10H010SPS-13封装/规格：MOSFET N-CH 100V PWRDI5060。您可以下载DMTH10H010SPS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMTH610LPS-13带有引脚细节，包括DMTH6100系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerDI，以及PowerDI5060-8封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有2.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.7 ns，上升时间为4.3 ns，Vgs栅源电压为10 V，并且Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23.4ns，典型接通延迟时间为5.7ns，Qg栅极电荷为41.3nC，沟道模式为增强。
DMTH610LPD-13，带用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerDI5060-8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于汽车AEC-Q101，提供Rds on Max Id Vgs功能，如11 mOhm@20A、10V，功率最大设计为2.8W，以及Digi-ReelR替代包装包装，该器件也可用作8功率TDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2615pF@30V输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为40.2nC@10V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏电流Id为13.1A（Ta）、47.6A（Tc）。
DMTH610LPSQ-13带电路图，包括卷筒包装，设计用于DMTH6100系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
DMTH610SCT，带EDA/CAD模型，包括管包装。
