9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1424EDH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1424EDH-T1-GE3参考价格为0.45000美元。Vishay Siliconix SI1424EDH-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363。您可以下载SI1424EDH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1422DH-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1422DH-GE3的零件别名，该SI1422DH GE3提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为725pF@6V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为26 mOhm@5.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@8V，Pd功耗为2.8 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Vgs第h栅极-源极端电压为0.4 V，Rds导通漏极-源极电阻为29mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为13.1nC，正向跨导Min为30S。
SI1417EDH-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如600纳秒，典型的关闭延迟时间设计为4900纳秒，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术提供，该器件的上升时间为1400 ns，漏极源极电阻Rds为160 mOhms，Pd功耗为1 W，零件别名为SI1417EDH-E3，包装为卷筒，包装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.7 A，下降时间为1400 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI1419DH-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6。SI1419DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6、P沟道200V 300mA（Ta）1W（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）、Trans MOSFET P-CH200V 0.36引脚SC-70T/R。
