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IRL7486MTRPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 209A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距ME 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
100+ 5.70261 570.26100
200+ 5.13234 1026.46960
500+ 4.75217 2376.08750
1000+ 4.56208 4562.08500
  • 库存: 24000
  • 单价: ¥4.56737
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.57
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 209A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 最大功耗 104W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@150A.
  • 供应商设备包装 DirectFET等距ME
  • 包装/外壳 DirectFET等距ME
  • 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@123A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 111 nC@4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6904 pF @ 25 V

IRL7486MTRPBF 产品详情


这些来自International Rectifier的N沟道MOSFET利用先进的处理技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET的快速开关速度和坚固的器件设计 功率MOSFET为设计者提供了一种用于电池和负载管理的极其高效和可靠的器件。

•超低导通电阻
•N沟道MOSFET
•SOT-23占地面积
•薄型(<1.1mm)
•提供磁带和卷轴
•快速切换

 

特色

  • 符合RoHS
  • 行业领先的质量
  • 快速切换
  • 薄型(小于1.1mm)
  • SOT-23占地面积

应用

  • 直流开关
  • 负载开关
IRL7486MTRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRL7486MTRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRL7486MTRPBF价格参考¥4.567373,你可以下载 IRL7486MTRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRL7486MTRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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