9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF840BPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF840BPBF价格参考1.47000美元。Vishay Siliconix IRF840BPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB。您可以下载IRF840BPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF840ASPBF是MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为850mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRF840ASTRLPBF是MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件提供23 ns上升时间，器件具有850 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF840B，带有FAI制造的电路图。IRF840B采用TO220封装，是IC芯片的一部分，N沟道500V 8A（Tc）134W（Tc）通孔TO-220-3，Trans-MOSFET N-CH 500V 8A 3引脚（3+Tab）TO-220AB导轨。
