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PSMN7R0-100PS，127是MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB，包括管封装，它们设计用于to-220-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商器件封装功能，如to-220AB，FET类型设计用于MOSFET N沟道、金属氧化物以及269W最大功率，该器件还可以用作100V漏极到源极电压Vdss。此外，输入电容Cis-Vds为6686pF@50V，该器件采用标准FET特性，该器件具有100A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为12mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为125nC@10V。
PSMN7R0-100PS@127NXP制造的用户指南。这个PSMN7R0-100PS@127TO-220封装中提供，是IC芯片的一部分。
PSMN7R0-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN7R0-30YL在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
