9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7456CDP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7456CDP-T1-GE3参考价格为1.75000美元。Vishay Siliconix SI7456CDP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8。您可以下载SI7456CDP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7455DP-T1-E3是MOSFET 80V 28A 83.3W，包括SI74xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在SI7455DP E3中使用的数据表注释中，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为5.2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为50 ns 185 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为10.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-80V，Rds导通漏极-电源电阻为25mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为90ns 70ns，典型接通延迟时间为15ns 30ns，沟道模式为增强。
SI7455DP-T1-GE3是MOSFET 80V 28A 83.3W 25mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870 oz，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作SI74xxDx系列。此外，Rds漏极-源极电阻为25 mOhm，该器件提供5.2 W Pd功耗，该器件具有SI7455DP-GE3零件别名，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为10.5A，并且配置为单一。
SI7456，电路图由NA/制造。SI7456在QFP封装中提供，是FET的一部分-单个。
