久芯网

SIRA60DP-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.73655 6.73655
10+ 5.72764 57.27649
30+ 5.17064 155.11944
100+ 4.54008 454.00810
500+ 3.75187 1875.93650
1000+ 3.62576 3625.76000
  • 库存: 14038
  • 单价: ¥6.73656
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.74
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
  • 最大功耗 57W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 PowerPAKSO-8
  • 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.94毫欧姆@20A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7650 pF @ 15 V

SIRA60DP-T1-GE3 产品详情

SIRA60DP-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIRA60DP-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIRA60DP-T1-GE3价格参考¥6.736556,你可以下载 SIRA60DP-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIRA60DP-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部