9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7174DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7174DP-T1-GE3参考价格为3.32000美元。Vishay Siliconix SI7174DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8。您可以下载SI7174DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7174DP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7172DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SI7172DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为5.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns 9 ns，上升时间为12 ns 11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.9A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为70m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns 26ns，典型接通延迟时间为22ns 15ns，沟道模式为增强。
SI7170DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，技术为Si，器件为SI71xxDx系列，器件的上升时间为10ns，漏极电阻Rds为2.7mOhms，Pd功耗为48W，零件别名为SI7170DP-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为40 A，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7172DP，带有SI制造的电路图。SI7172DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
