9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN2R0-25YLDX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN2R0-25YLDX价格参考1.33000美元。Nexperia USA Inc.PSMN2R0-25YLDX封装/规格：MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56。您可以下载PSMN2R0-25YLDX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN1R9-40PLQ是MOSFET N沟道40 V 1.7 mOhm MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644 oz单位重量的工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供349 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为119 ns，上升时间为118 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为150 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为195ns，典型接通延迟时间为95ns，Qg栅极电荷为230nC。
PSMN1R8-40YLC是MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK，包括1.95V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与LFPAK、Power-SO8供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.8 mOhm@25A、10V，提供功率最大功能，如272W，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供6680pF@20V输入电容Cis Vds，该器件具有96nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc）。
PSMN1R8-40YLC115，带有NXP制造的电路图。PSMN1R8-40YLC115采用LFPAK封装，是IC芯片的一部分。
PSMN2R0-25MLDX，带有NEX制造的EDA/CAD模型。PSMN2R0-25MLDX在LFPAK33封装中提供，是IC芯片的一部分，N沟道25V 70A（Tc）74W（Tc）表面安装LFPAK3，Trans MOSFET N-CH 25V 70B 8引脚LFPAK EP T/R。
