9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17306Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17306Q5A参考价格为1.47000美元。德州仪器CSD17306Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON。您可以下载CSD17306Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17304Q3是MOSFET N-CH 30V 56A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为955pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为15A（Ta），56A（Tc），Rds On最大Id Vgs为7.5mOhm@17A，8V，Vgs th最大Id为1.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@4.5V，Pd功耗为2.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.1ns，上升时间为9.1ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.3V，Rds漏极源极电阻为8.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为5.1nC。
CSD17305Q5A是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括1.1 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如8.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17305Q5A系列，Rds漏极-源极电阻为2.8 mOhms，Qg栅极电荷为14.1 nC，Pd功耗为3.1 W，包装为卷轴式，封装盒为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为29 A，正向跨导最小值为139 S，配置为单一。
CSD17305带有TI制造的电路图。CSD17305采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
