特色
- 低QG（TOT）
- 最小化开关损耗
- 低电容
- 将驾驶员损失降至最低
- 占地面积小（3.3 x 3.3 mm）
- 紧凑型设计
应用
- 电机驱动器
- 同步整流
- 电源管理
- DC−DC转换器
NTTFS5826NLTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta）、19W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.80832 | 6.80832 |
| 10+ | 6.08403 | 60.84036 |
| 100+ | 4.74265 | 474.26510 |
| 500+ | 3.91768 | 1958.84250 |
| 1500+ | 3.28030 | 4920.46350 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.73590
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.81
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 850 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
- 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@7.5A，10V
- 最大功耗 3.1W（Ta）、19W（Tc）
NTTFS5826NLTAG 产品详情
功率MOSFET60 V，24 mΩ，单N−通道，µ8FL
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| NTT501ADNL | NTT501ADNL | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS5826NLTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS5826NLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS5826NLTAG价格参考￥6.735897，你可以下载 NTTFS5826NLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS5826NLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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