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PMV30ENEAR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 710mW (Ta), 8.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世 (Nexperia)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.49560 1.49560
10+ 1.21362 12.13628
30+ 1.09277 32.78319
100+ 0.90171 90.17120
600+ 0.83455 500.73360
1200+ 0.79430 953.16840
  • 库存: 8435
  • 单价: ¥1.49560
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    - +
  • 总计: ¥1.50
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 安世 (Nexperia)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 供应商设备包装 TO-236AB
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.8A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.7 nC@10 V
  • 最大功耗 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 4.8A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 440 pF @ 20 V
  • 色彩/颜色 灰色

PMV30ENEAR 产品详情

PMV30ENEAR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMV30ENEAR 由 安世 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMV30ENEAR价格参考¥1.495601,你可以下载 PMV30ENEAR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMV30ENEAR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世 (Nexperia)

安世 (Nexperia)

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