9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIRA12DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIRA12DP-T1-GE3参考价格为1.00000美元。Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8。您可以下载SIRA12DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIRA00DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIRA00DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为11700pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1 mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为220nC@10V，Pd功耗为104W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为2.2 V，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-漏极电阻为1 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为67ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为66nC，正向跨导Min为140S。
SIR928-6C-F是EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL，包括875NM波长，设计用于1.3V正向电压Vf Typ，视角如数据表注释所示，用于40°，提供IR等类型功能，包装设计用于散装包装，以及径向包装箱，该设备也可用于侧视图定向，它的工作温度范围为-25°C~85°C（TA），该设备为通孔、直角安装型，该设备具有红外照明颜色，如果最大值为100mA，则电流为直流正向。
SiR892DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR892DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIR892DP-T1-GE3-S，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR892DP-T1-GE3-S采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
