9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1469DH-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1469DH-T1-GE3参考价格0.66000美元。Vishay Siliconix SI1469DH-T1-GE3封装/规格:MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6。您可以下载SI1469DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1469DH-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1469DH-E3的部件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.000265盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒,该器件也可以用作硅技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1个通道数,供应商器件封装为SC-70-6(SOT-363),配置为单,FET类型为MOSFET P通道,金属氧化物,最大功率为2.78W,晶体管类型为1 P沟道,漏极-源极电压Vdss为20V,输入电容Cis-Vds为470pF@10V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为2.7A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@2A、10V,Vgs最大Id为1.5V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为8.5nC@4.5V,Pd功耗为1.5W,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,下降时间为15 ns 9 ns,上升时间为48 ns 20 ns,Vgs栅极-源极电压为12 V,Id连续漏极电流为3.2 A,Vds漏极-源极击穿电压为-20 V,Rds漏极源极电阻为155 mOhms,并且晶体管极性是P沟道,并且典型关断延迟时间是27ns 22ns,并且典型接通延迟时间是27 ns 5ns,并且沟道模式是增强。
SI1467DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6,包括8 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000265盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如16 ns,典型的关闭延迟时间设计为36 ns,该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件以43 ns上升时间提供,器件具有150 mOhm的Rds漏极-源极电阻,Qg栅极电荷为9 nC,Pd功耗为2.78 W,零件别名为SI1405BDH-T1-GE3 SI1405DL-T1-GE3,封装为卷轴,封装盒为SOT-363-6,通道数为1通道,安装类型为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏极电流为2.7 A,正向跨导最小值为7 S,下降时间为43 ns,配置为单一,信道模式为增强。
SI1467DH-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6,包括增强信道模式,它们设计为使用单一配置,下降时间显示在数据表注释中,用于43纳秒,提供正向跨导最小特性,如7 S,Id连续漏电流设计为工作在2.7 a,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃。此外,安装类型为SMD/SMT,器件提供1通道数的通道,器件具有SOT-363-6封装盒,封装为卷筒,零件别名为SI1467DH-E3,Pd功耗为2.78 W,Qg栅极电荷为9 nC,漏极-源极电阻为150 mOhm,上升时间为43ns,技术为Si,晶体管极性为P沟道,晶体管类型为1P沟道,典型关断延迟时间为36ns,典型接通延迟时间为16ns,单位重量为0.000265oz,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Vgs栅极-源极电压为8V。