特征
市场上最低的RDS之一
优秀FoM(品质因数)
EMI抗扰度的低Crss/Ciss比率
雪崩强度高
应用
切换应用程序
描述
该N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,导致非常低的导通状态电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快和更高效的切换。
特色
- 在市场上排名靠后的RDS中
- ExcellentFoM(绩效指标)
- EMI免疫的低Crss/Cissratio
- 高雪崩强度
(图片:引线/示意图)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 22.81513 | 22.81513 |
10+ | 20.46119 | 204.61193 |
100+ | 16.76369 | 1676.36920 |
500+ | 14.27039 | 7135.19800 |
1000+ | 13.67640 | 13676.40600 |
3000+ | 13.67640 | 41029.21800 |
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特征
市场上最低的RDS之一
优秀FoM(品质因数)
EMI抗扰度的低Crss/Ciss比率
雪崩强度高
应用
切换应用程序
描述
该N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,导致非常低的导通状态电阻,同时还减少了内部电容和栅极电荷,以实现更快和更高效的切换。
(图片:引线/示意图)
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