9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7172DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7172DP-T1-GE3参考价格2.95000美元。Vishay Siliconix SI7172DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8。您可以下载SI7172DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7170DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SI7170DP GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为48 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为2.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI7170DP-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7170DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7172DP，带有SI制造的电路图。SI7172DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
