（2） （3）高VGSS电压：�12V高VDSS电压：-20V低漏极电源导通电阻：RDS（on）26 m（最大值）（@VGS=-4.5 V，ID=-1.5A）RDS（on（开启）24 m（最大）（@VGA=-8.0 V，ID=-3.0A）RDS（开启）23 m
A1、A2门。来源B1。来源B2。来源C1。排放C2。排水4.绝对最大额定值（注）（除非另有规定，否则为25）
特性漏极源极电压栅极源极电压漏极电流（DC）漏电流（脉冲）功耗功耗功耗功耗通道温度存储温度0.1 s（注1）（注1 1），（注2）（注3）（注4）符号VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg额定值W A单位V
即使工作条件（即工作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值范围内，在重载条件下连续使用（例如，施加高温/电流/温度以及温度的显著变化等）也可能导致该产品的可靠性显著降低。请在审查东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和单个可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。注1：确保通道温度不超过150℃。注2：脉宽（PW）10ms，占空比1%注3：设备安装了FR-4板。1.6 mm，铜垫：645 mm2）
该器件中的MOSFET对静电放电敏感。操作本设备时，应保护工作台、操作员、烙铁和其他物体免受静电放电。通道对环境热阻Rth（ch-a）和漏极功耗PD根据电路板材料、电路板面积、电路板厚度和焊盘面积而变化。使用本设备时，务必充分考虑散热。
5.电气特性5.1。静态特性（除非另有规定，25）特性栅极漏电流漏极截止电流漏极源极击穿电压漏极源击穿电压栅极阈值电压漏极导通电阻（注2）（注3）符号IGSS IDSS测试条件VGS 10 V，VDS 0 V VDS-20 V，VGS 0 V Min-12-0.5 Typ。最大m V单位�A.
注：如果在栅极和源极之间施加反向偏置，则该器件进入V（BR）DSX模式。注意，漏极-源极击穿电压在此模式下降低。注2：设Vth为栅极和源极之间施加的电压，该电压导致漏极电流（ID）低于（该器件为-1mA）。然后，对于正常的开关操作，VGS（ON）必须高于Vth，而VGS（OFF）必须低于Vth。这种关系可以表示为：VGS（OFF）<Vth<VGS（ON）。使用设备时，请考虑这一点。注3：脉冲测量。
特性输入电容反向转移电容输出电容切换时间（接通时间）符号Ciss Crss Coss ton VDD-1 A VGS=20参见第5.3章。VDD-1 A VGS=20见第5.3章。测试条件VDS-10 V，VGS=1 MHz最小典型值。最大ns单位pF
特色
- 装配底座：-1.2 V
- 装配底座：31 mΩ
- 装配底座：34.7 mΩ
- 装配底座：35 mΩ
- 装配底座：47.5 mΩ
- 装配底座：870 pF
- 装配底座：9.8 nC
