9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS8N6LF6AG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS8N6LF6AG参考价格为1.27000美元。STMicroelectronics STS8N6LF6AG封装/规格：MOSFET N沟道60V 8A 8SO。您可以下载STS8N6LF6AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS8DN3LLH5是MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO，包括STripFET？V系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2.7W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为724pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为10A，最大Id Vgs上的Rds为19mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5.4nC@4.5V，Pd功耗为2.7W，下降时间为3.5ns，上升时间为4.2ns，Vgs栅极-源极电压为22V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为1V，Rds漏极电阻为15.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.1ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为5.4nC。
STS8DNF3LL是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于STripFET？二、 提供Rds On Max Id Vgs功能，例如20 mOhm@4A，10V，Power Max设计为1.6W，以及Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有800pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
STS8DNH3LL是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在10nC@4.5V下工作，除了857pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为22mOhm@4A，10V，系列为STripFET？III，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为1V@250μa。
STS8DNF30L带有ST制造的EDA/CAD模型。STS8DNF30L可在SOP包中获得，是IC芯片的一部分。
