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DMT6010SCT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 98A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.00920 11.00920
10+ 9.87207 98.72073
100+ 7.69630 769.63060
500+ 6.35781 3178.90900
1000+ 5.01933 5019.33000
2000+ 4.68470 9369.41600
5000+ 4.56302 22815.13500
  • 库存: 4300
  • 单价: ¥11.00921
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.01
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 高度(英寸) five
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36.3 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 98A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.2毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1940 pF@30 V
  • 最大功耗 2.3W(Ta)、104W(Tc)

DMT6010SCT 产品详情

DMT6010SCT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMT6010SCT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMT6010SCT价格参考¥11.009208,你可以下载 DMT6010SCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMT6010SCT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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