9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3493BDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3493BDV-T1-GE3参考价格为1.01000美元。Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP。您可以下载SI3493BDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3493BDV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI3493BVV-E3中使用的零件别名，该SI3493WDV-E3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为2.97W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1805pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为27.5mOhm@7A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为43.5nC@5V，Pd功耗为2.08W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为84 ns，上升时间为72 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为27.5 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为22ns，信道模式为增强。
SI3483DV-T1-E3是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP。SI3483DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP、P沟道30V 4.7V（Ta）1.14W（Ta）表面安装6-TSOP和Trans-MOSFET P-CH 30 V 4.7A 6-引脚TSOP T/R。
SI3493BDV-T1-E3-S，带有VISHAY制造的电路图。SI3493BDV-T1-E3-S在TSOP6封装中提供，是IC芯片的一部分。
