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DMTH8012LPSQ-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta)、72A(Tc) 最大功耗: 2.6W(Ta)、136W(Tc) 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.88075 6.88075
10+ 6.17095 61.70951
100+ 4.81001 481.00100
500+ 3.97360 1986.80000
1000+ 3.13704 3137.04500
2500+ 2.92794 7319.85500
5000+ 2.85189 14259.46000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.88076
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.88
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46.8 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 PowerDI5060-8
  • 最大功耗 2.6W(Ta)、136W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Ta)、72A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@12A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2051 pF@40 V
  • 色彩/颜色 -

DMTH8012LPSQ-13 产品详情

DMTH8012LPSQ-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMTH8012LPSQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMTH8012LPSQ-13价格参考¥6.880755,你可以下载 DMTH8012LPSQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMTH8012LPSQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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