9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLL014TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLL014TRPBF参考价格为0.92000美元。Vishay Siliconix IRLL014TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223。您可以下载IRLL014TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLL014NTRPBF是MOSFET N-CH 55V 2A SOT223，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为55V，输入电容Cis-Vds为230pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为140 mOhm@2A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V，Pd功耗为2.1 W，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为55 V，漏极-漏极电阻为280 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.5nC。
IRLL014PBF是MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如9.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为17 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极-源极电阻为200 mOhms，Pd功耗为2 W，封装为管，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.7 A，下降时间为26 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRLL014NTR是由IRF制造的MOSFET N-CH 55V 2A SOT223。IRLL014NTR可在TO-261-4、TO-261AA封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 2A SOT223、N沟道55V 2A（Ta）1W（Ta）表面安装SOT-223。
