9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR804DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR804DP-T1-GE3价格参考2.99000美元。Vishay Siliconix SIR804DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR804DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR802DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR802DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为27.7W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1785pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为5mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为32nC@10V、Pd功耗为27.7W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为30 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为5 mOhm，晶体管极性为N沟道。
SIR800DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8，包括0.6 V至1.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-12 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供单位重量功能，如0.017870盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为SIRxxxDP，该器件的漏极-源极电阻为1.9 mOhms Rds，该器件具有89 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为69 W，零件别名为SIR800DP-GE3，包装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为50 A，正向跨导最小值为96 S，配置为单一。
SiR802DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR802DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
