9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMNR70-40SSHJ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMNR70-40SSHJ参考价格为5.79000美元。Nexperia USA Inc.PSMNR70-40SSHJ封装/规格：MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88。您可以下载PSMNR70-40SSHJ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN6R3-120PS是MOSFET N沟道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的沟道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供405 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为67.7 ns，上升时间为58.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为19.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为142.1ns，典型接通延迟时间为42.1ns，Qg栅极电荷为207.1nC。
PSMN6R5-25YLC，115是MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK，包括1.95V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于6.5 mOhm@20A、10V，提供48W等功率最大特性，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1093pF@12V输入电容Ciss Vds，该器件具有17.5nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C电流连续漏极Id为64A（Tc）。
带有电路图的PSMN6R4-30MLDX，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
