9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1467DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1467DH-T1-GE3参考价格0.70000美元。Vishay Siliconix SI1467DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6。您可以下载SI1467DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1467DH-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6，包括卷筒包装，它们设计用于SI1467DH-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-363-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.78 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为43纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为9nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
Si1443EDH-T1-GE3是MOSFET-30V54mOhm@10V4A P-Ch G-III，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为1800 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以64 ns上升时间提供，器件具有54 mOhm的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为18.5nC，Pd功耗为2.8 W，零件别名为SI1443EDH-GE3，封装为卷轴，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为-4A，正向跨导最小值为14S，下降时间为420ns，配置为单。
SI1450DH-T1-E3是Vishay制造的MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6。SI1450DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6、N沟道8V 4.53B（Ta）、6.04A（Tc）1.56W（Ta）和2.78W（Tc）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
