Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对5V栅极驱动电压(称为逻辑电平)进行了优化
- 行业标准通孔电源组件
- 高载流能力封装(高达195A,取决于管芯尺寸)
- 能够进行波峰焊接
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 12.74750 | 12.74750 |
10+ | 11.36411 | 113.64110 |
100+ | 8.86168 | 886.16880 |
500+ | 7.32054 | 3660.27200 |
1000+ | 6.42155 | 6421.55500 |
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Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。